IRFU320PBF, Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1А 42Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 27 шт. —
79 руб.
от 54 шт. —
73 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1А 42Вт
Технические параметры
Корпус | TO-251AA | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1800 10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 | |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 | |
Maximum IDSS (uA) | 25 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO-251 | |
Supplier Package | IPAK | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 13 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350 25V | |
Typical Rise Time (ns) | 14 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 | |
Drain Source On State Resistance | 1.8Ом | |
Power Dissipation | 42Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 400В | |
Непрерывный Ток Стока | 3.1А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В | |
Рассеиваемая Мощность | 42Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.8Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251AA | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Packaging | Tube | |
Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V | |
Series | - | |
Supplier Device Package | TO-251AA | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Вес, г | 0.658 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов