TCET1101G, Фотооптопара транзисторная высокий температурный коэффициент 40 - 80%

TCET1101G, Фотооптопара транзисторная высокий температурный коэффициент 40 - 80%
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 руб.
Мин. кол-во для заказа 35 шт.
от 58 шт.12 руб.
от 100 шт.11 руб.
Добавить в корзину 35 шт. на сумму 490 руб.
Номенклатурный номер: 8585934119
Артикул: TCET1101G

Описание

Оптоэлектроника / Оптопары / Транзисторные оптопары
Фотооптопара транзисторная высокий температурный коэффициент 40 - 80%

Технические параметры

Корпус DIP-4
Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: 1 Channel
Current Transfer Ratio: 40%
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 4000
Fall Time: 4.7 us
If - Forward Current: 60 mA
Isolation Voltage: 5000 Vrms
Manufacturer: Vishay
Maximum Collector Current: 50 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Maximum Collector Emitter Voltage: 70 V
Maximum Operating Temperature: +100 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Output Type: NPN Phototransistor
Package/Case: PDIP-4
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 265 mW
Product Category: Transistor Output Optocouplers
Product Type: Transistor Output Optocouplers
Rise Time: 3 us
Subcategory: Optocouplers
Vf - Forward Voltage: 1.6 V
Vr - Reverse Voltage: 6 V
Automotive No
Maximum Collector Current - (mA) 50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (mV) 300
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 70
Maximum Current Transfer Ratio - (%) 80
Maximum Forward Voltage - (V) 1.6
Maximum Power Dissipation - (mW) 265
Maximum Reverse Voltage - (V) 6
Military No
Minimum Current Transfer Ratio - (%) 40
Minimum Isolation Voltage - (Vrms) 5000
Number of Channels per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -40~100
Pin Count 4
Standard Package Name DIP
Supplier Package DIL
Вес, г 0.7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 122 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Оптопары с транзисторным и диодным выходом»