IS61WV25616EDBLL-10TLI, (256K x 16, 2.5/3.3V), Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт. —
310 руб.
от 16 шт. —
289 руб.
от 31 шт. —
277 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 740 руб.
Описание
Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAM
Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В
Технические параметры
| Корпус | TSOP44-II | |
| Access Time | 10ns | |
| ECCN | 3A991B2A | |
| HTSUS | 8542.32.0041 | |
| Memory Format | SRAM | |
| Memory Interface | Parallel | |
| Memory Size | 4Mb (256K x 16) | |
| Memory Type | Volatile | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) | |
| Package | Tray | |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II | |
| Technology | SRAM - Asynchronous | |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V | |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns | |
| Brand | ISSI | |
| Factory Pack Quantity | 135 | |
| Interface Type | Parallel | |
| Manufacturer | ISSI | |
| Maximum Operating Temperature | + 85 C | |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | |
| Moisture Sensitive | Yes | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Organization | 256 k x 16 | |
| Packaging | Tray | |
| Product Category | SRAM | |
| Product Type | SRAM | |
| Series | IS61WV25616EDBLL | |
| Subcategory | Memory & Data Storage | |
| Supply Current - Max | 35 mA | |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V | |
| Supply Voltage - Min | 2.4 V | |
| Type | Asynchronous | |
| Unit Weight | 0.016579 oz | |
| RoHS | Details | |
| Вес, г | 3.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 567 КБ
Datasheet IS61WV25616EDBLL-10TLI
pdf, 719 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
