IKW40N65H5FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

390 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 8 шт. — 330 руб.

от 15 шт. — 306 руб.

от 30 шт. — 294 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 780 руб.

Номенклатурный номер: 8607109759

Артикул: IKW40N65H5FKSA1

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт

Корпус	PG-TO-247-3
RoHS Compliant	Yes
Brand:	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.65 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	74 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	240
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Manufacturer:	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	IKW40N65H5 SP001001730
Pd - Power Dissipation:	250 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	Trenchstop IGBT5
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Tradename:	TRENCHSTOP
Вес, г	8.2