IRG4BC20FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт

Фото 1/2 IRG4BC20FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 7 шт.140 руб.
от 14 шт.122 руб.
от 28 шт.117 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8624536643
Артикул: IRG4BC20FDPBF

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
Current - Collector Pulsed (Icm) 64A
Design Resources IRG4BC20FD Saber ModelIRG4BC20FD Spice Model
Family IGBTs-Single
Gate Charge 27nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Other Names *IRG4BC20FDPBF
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Power - Max 60W
Product Training Modules IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr) 37ns
Standard Package 50
Supplier Device Package TO-220AB
Switching Energy 250µJ(on), 640µJ(off)
Td (on/off) @ 25°C 43ns/240ns
Test Condition 480V, 9A, 50 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 9A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRG4BC20FD datasheet
pdf, 221 КБ
IRG4BC20FD datasheet
pdf, 221 КБ
irg4bc20fdpbf
pdf, 313 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов