MMBT5550LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
от 356 шт. —
5 руб.
от 712 шт. —
4 руб.
от 1424 шт. —
3.50 руб.
Добавить в корзину 70 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Part Status | Active | |
| HTS | 8541.21.00.95 | |
| Type | NPN | |
| Product Category | Bipolar Small Signal | |
| Material | Si | |
| Configuration | Single | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 160 | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 140 | |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 | |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 | |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@1mA@10mA|1.2@5mA@50mA | |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15@1mA@10mA|0.25@5mA@50mA | |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 | |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 | |
| Minimum DC Current Gain | 60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Automotive | No | |
| Standard Package Name | SOT | |
| Pin Count | 3 | |
| Supplier Package | SOT-23 | |
| Military | No | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Package Height | 0.94 | |
| Package Length | 2.9 | |
| Package Width | 1.3 | |
| PCB changed | 3 | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Brand | ON Semiconductor | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 180 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 140 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.15 V | |
| Continuous Collector Current | 600 mA | |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 60 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Package / Case | SOT-23-3 | |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW | |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series | MMBT5550L | |
| Subcategory | Transistors | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
Datasheet MMBT5550LT1G
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
