SP001575396
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 55 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Крутизна характеристики S,А/В | 14 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 30 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов