AOD409, Транзистор полевой P-канальный 60В 26А 30Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 17 шт. —
49 руб.
от 33 шт. —
44 руб.
от 66 шт. —
41 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 513 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 60В 26А 30Вт
Технические параметры
Корпус | TO-252 | |
Automotive | Unknown | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Configuration | Single | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 26 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 40@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.4 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 60000 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Pin Count | 3 | |
Standard Package Name | TO-252 | |
Supplier Package | DPAK | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 44 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 44@10VI22.2@4.5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2977@30V | |
Вес, г | 0.793 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 237 КБ
Документация
pdf, 283 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов