IRFU024NPBF, Транзистор MOSFET N-канал 55В 17А [IPАK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 15 шт. —
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.075 Ом/10А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 | |
Корпус | IPАK | |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 406 КБ
Datasheet
pdf, 176 КБ
Datasheet irfr024npbf
pdf, 400 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают