RD07MVS1-T51, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 6 шт. —
480 руб.
от 11 шт. —
450 руб.
от 21 шт. —
434 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Технические параметры
Корпус | QFN12 | |
кол-во в упаковке | 1 | |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
RD07MVS1 FQP50N06 60V N-Channel MOSFET datasheet
pdf, 271 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов