IHW30N160R2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 980 руб.
от 2 шт. —
2 810 руб.
от 3 шт. —
2 700 руб.
от 4 шт. —
2 560 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 980 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Infineon-IHW30N160R2-DS-v02_01-en
pdf, 391 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
