IRGP20B120UD-EP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт

IRGP20B120UD-EP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 260 руб.
от 3 шт.1 170 руб.
от 5 шт.1 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 260 руб.
Номенклатурный номер: 8864356271
Артикул: IRGP20B120UD-EP

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт

Технические параметры

Корпус TO-247AD
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Design Resources IRGP20B120UD-EP Saber ModelIRGP20B120UD-EP Spice Model
Family IGBTs-Single
Gate Charge 169nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Online Catalog Standard IGBTs
Other Names *IRGP20B120UD-EP
Package / Case TO-247-3
Packaging Bulk
PCN Assembly/Origin Tin Electro-Plating Metal 04/Jan/2015
Power - Max 300W
Product Training Modules IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr) 300ns
Series -
Standard Package 4
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 850µJ(on), 425µJ(off)
Td (on/off) @ 25°C -
Test Condition 600V, 20A, 5 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.85V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 10

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов