IRG4PC50FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт

Фото 1/3 IRG4PC50FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 780 руб.
от 2 шт.8 110 руб.
от 3 шт.7 840 руб.
от 4 шт.7 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 780 руб.
Номенклатурный номер: 8915031867
Артикул: IRG4PC50FDPBF

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт

Технические параметры

Корпус TO-247AC
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Current - Collector Pulsed (Icm) 280A
Design Resources IRG4PC50FD-EPBF Saber ModelIRG4PC50FD-EPBF Spice Model
Family IGBTs-Single
Gate Charge 190nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Online Catalog Standard IGBTs
Other Names *IRG4PC50FDPBF
Package / Case TO-247-3
Packaging Bulk
Power - Max 200W
Product Training Modules IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Series -
Standard Package 25
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 1.5mJ(on), 2.4mJ(off)
Td (on/off) @ 25°C 55ns/240ns
Test Condition 480V, 39A, 5 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 39A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 7.272

Техническая документация

IRG4PC50FD Datasheet
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов