BZX84C43LT1G, Стабилитрон 0.3Вт 43В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 80 шт.
от 402 шт. —
5 руб.
от 804 шт. —
3.50 руб.
от 1607 шт. —
3 руб.
Добавить в корзину 80 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Диоды и тиристоры / Стабилитроны / Одиночные стабилитроны
Стабилитрон 0.3Вт 43В
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Ir - обратный ток | 50 nA | |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW | |
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 43 V | |
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 150 Ohms | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 0.94 mm | |
Длина | 2.9 mm | |
Допустимое отклонение напряжения | 7 % | |
Зенеровский ток | 10 mA | |
Категория продукта | Стабилитроны | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Подкатегория | Diodes Rectifiers | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | BZX84C43L | |
Температурный коэффициент напряжения | 42.1 mV/K | |
Тип выводов | SMD/SMT | |
Тип продукта | Zener Diodes | |
Ток испытаний | 2 mA | |
Торговая марка | ON Semiconductor | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.3 mm | |
Diode Configuration | Single | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 225 mW | |
Maximum Reverse Leakage Current | 50nA | |
Maximum Zener Impedance | 150Ω | |
Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Nominal Zener Voltage | 43V | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Test Current | 2mA | |
Typical Voltage Temperature Coefficient | 46.6mV/°C | |
Zener Type | Voltage Regulator | |
Zener Voltage Tolerance | 5% | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 172 КБ
Datasheet
pdf, 86 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
ПАРАМЕТРЫ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ СТАБИЛИТРОНОВ
pdf, 354 КБ
Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов
pdf, 389 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Стабилитроны»
Типы корпусов импортных диодов