MBRA130LT3G

PartNumber: MBRA130LT3G
Ном. номер: 8920485077
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 MBRA130LT3G
Фото 2/4 MBRA130LT3GФото 3/4 MBRA130LT3GФото 4/4 MBRA130LT3G
Доступно на заказ более 300 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
15 руб. × = 270 руб.
Минимальное количество для заказа 18 шт.
от 200 шт. — 6 руб.
от 1000 шт. — 4.10 руб.
Есть аналоги

Описание

The MBRA130LT3G is a surface-mount Schottky Power Rectifier with moulded epoxy case. This device employs the Schottky barrier principle in a metal-to-silicon power rectifier. It features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.

• Cathode lead indicated by either notch in plastic body or polarity band
• All external surfaces corrosion-resistant
• Compact package with J-bend leads ideal for automated handling
• Highly stable oxide-passivated junction
• Guard-ring for overvoltage protection
• Low forward voltage drop
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
• UL94V-0 Flammability rating

Диоды / Диоды Шоттки / Одиночные диоды Шоттки
Корпус: SMA (DO-214AC), инфо: Диод Шоттки 30V 1А 0.41V

Технические параметры

размеры
2 x 4.32 x 2.6mm
Diode Type
Schottky
высота
2mm
длина
4.32mm
Maximum Continuous Forward Current
1A
максимальная рабочая температура
+125 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
DO-214AC
Peak Forward Voltage
410mV
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
0.025kA
Peak Reverse Current
1mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
30V
Pin Count
2
ширина
2.6mm
Diode Configuration
Single

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet MBRA130LT3G
Datasheet MBRA130LT3G