S34ML02G100TFI000, (256Mx8), Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В/3.3В 2Гбит 256M x 8 20нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 29 шт. —
410 руб.
от 58 шт. —
389 руб.
от 96 шт. —
383 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Микросхемы / Микросхемы памяти / Flash память
Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В/3.3В 2Гбит 256M x 8 20нс
Технические параметры
Корпус | tsop48 | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 3 | |
Архитектура | Multiplane | |
Диапазон рабочих температур | -40…+85 °С | |
Напряжение питания | 2.7…3.6 В | |
Память | FLASH-NAND 2 Гбит(256 Мбит х 8) | |
Потребляемый ток | 30(max)мА | |
Тип | синхронизации-asynchronous | |
Тип монтажа | поверхностный(SMT) | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*40/192 | |
Упаковка | TRAY, 96 шт. | |
Характеристика | быстродействие-25 нс | |
Ширина | шины данных-8 бит | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1807 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем