SI2315BDS-T1-E3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой SI2315BDS-T1-E3 от производителя VISHAY – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Устройство обладает током стока в 3 А и напряжением сток-исток 12 В, что обеспечивает его надежную работу в широком диапазоне электронных схем. Мощность транзистора достигает 0,75 Вт, а компактный корпус SOT23 позволяет эффективно использовать плату без необходимости отвода большого пространства под компоненты. Транзистор SI2315BDST1E3 является оптимальным выбором для проектов, где требуется стабильность, долговечность и миниатюризация электронных узлов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 3 |
| Напряжение сток-исток, В | 12 |
| Мощность, Вт | 0.75 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 12 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1190 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 50 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 715 6V |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
