IGP50N60T

IGP50N60T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
970 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 970 руб.
Номенклатурный номер: 9000172107

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 333 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.25 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № IGP50N60TXKSA1 IGP5N6TXK SP000683046
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 90 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия TRENCHSTOP IGBT
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Вес, г 6

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов