AS6C1008-55STIN, Микросхема
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Описание IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; STSOP32; parallel Характеристики
| Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | SRAM |
Технические параметры
| Access Time | 55ns |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 1Mb (128K x 8) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 32-LFSOP (0.465"", 11.80mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 32-sTSOP |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
| Вес, г | 2.65 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
