MJD44H11T4G

Фото 1/4 MJD44H11T4G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
310 руб.
от 2 шт.220 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001998147
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60hFE; Transistor Case Style:

Технические параметры

RoHS Compliant Yes
Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 60hFE
DC Усиление Тока hFE 60hFE
Power Dissipation 20Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft -
Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current: 8 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-252-3
Pd - Power Dissipation: 20 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MJD44H11
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 288 КБ
Datasheet MJD45H11T4
pdf, 395 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.