GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
![Фото 1/2 GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211856.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 7 дней
280 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Технические параметры
| Технология/семейство | Gen 6 | |
| Наличие встроенного диода | Нет | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 25 | |
| Корпус | TO-220SIS | |
| Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
GT30J127
pdf, 1025 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
