FQAF11N90C, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 900 В, 7 А, 0.91 Ом, TO-3PF, Through Hole

Фото 1/2 FQAF11N90C, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 900 В, 7 А, 0.91 Ом, TO-3PF, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 380 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.1 170 руб.
от 100 шт.774 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 760 руб.
Номенклатурный номер: 8003076143
Артикул: FQAF11N90C

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.91Ом
Power Dissipation 120Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции QFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 900В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 120Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.91Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-3PF
Вес, г 5.58

Техническая документация

Datasheet FQAF11N90C
pdf, 940 КБ
fqaf11n90c-d
pdf, 941 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов