BSS127SSN-7, Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R

Фото 1/2 BSS127SSN-7, Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 57 000 руб.
Номенклатурный номер: 8001342440
Артикул: BSS127SSN-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

МОП-транзистор BSS Family,SC59 Family,SC59,3K

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 600
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4.5
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.07
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum IDSS (uA) 0.1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 160@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 1.08@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 1.08
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 21.8@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 1250
Typical Fall Time (ns) 168
Typical Rise Time (ns) 7.2
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 28.7
Typical Turn-On Delay Time (ns) 5
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SC-59
Standard Package Name SC
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.1
Package Length 3
Package Width 1.6
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Diode Forward Voltage (V) 1.5
Id - непрерывный ток утечки 50 mA
Pd - рассеивание мощности 610 mW
Qg - заряд затвора 1.08 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 160 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 7.2 ns
Время спада 168 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BSS127
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 28.7 ns
Типичное время задержки при включении 5 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Вес, г 0.2

Техническая документация

BSS127
pdf, 353 КБ
Datasheet BSS127SSN-7
pdf, 352 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов