IXGN400N60B3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 080 руб.
от 10 шт. —
11 370 руб.
от 100 шт. —
9 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 080 руб.
Описание
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 600В, Ic: 200А, SOT227B Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.25 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 430 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | IXGN400N60 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
Техническая документация
Datasheet IXGN400N60B3
pdf, 185 КБ
