IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax:600В; Ic:200А; SOT227B

Фото 2/3 IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax:600В; Ic:200А; SOT227BФото 3/3 IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax:600В; Ic:200А; SOT227B
Фото 1/3 IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax:600В; Ic:200А; SOT227B
41 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
6 100 руб.
от 2 шт.5 830 руб.
от 4 шт.5 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 100 руб.
Номенклатурный номер: 9000690359
Артикул: IXGN400N60B3
Производитель: Ixys Corporation

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range PT IGBTs

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 430 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 10
Серия IXGN400N60
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 400 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOT-227B-4
Вес, г 37.16

Дополнительная информация

Datasheet IXGN400N60B3
Datasheet IXGN400N60B3
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах