AO4480, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 11А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
от 5 шт. —
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | NRND |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 11.5@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V|10.5@4.5V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1600@20V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
Typical Fall Time (ns) | 3.5 |
Typical Rise Time (ns) | 6 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13.2 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.5 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | Unknown |
Pin Count | 8 |
Supplier Package | SOIC |
Standard Package Name | SOP |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.5 |
Package Length | 4.9 |
Package Width | 3.9 |
PCB changed | 8 |
Lead Shape | Gull-wing |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AO4480
pdf, 170 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов