DMN3009SK3-13, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 5 шт. —
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 44 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 mOhms |
| Rise Time: | 4.1 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.52 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
