SIZ322DT-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 30 А, 0.00529 Ом, PowerPAIR, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.35@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 25 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 16 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAIR EP |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.2@4.5V|13.4@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 950@12.5V |
| Typical Rise Time (ns) | 45 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 343 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
