HY12P03C2, 30V 50A 42W 11.5m-@10V,12A 3V@250uA P Channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва
49 руб.
от 5 шт. —
33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 49 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 50A(Tc) |
Manufacturer | HUAYI |
Package / Case | PPAK5*6-8L |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 42W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 11.5mΩ 12A, 10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V 250uA |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1756 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.