HY12P03C2, 30V 50A 42W 11.5m-@10V,12A 3V@250uA P Channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs ROHS

HY12P03C2, 30V 50A 42W 11.5m-@10V,12A 3V@250uA P Channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва
49 руб.
от 5 шт.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 49 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001360396
PartNumber: HY12P03C2
Бренд: HUAYI

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 50A(Tc)
Manufacturer HUAYI
Package / Case PPAK5*6-8L
Packaging Tape и Reel(TR)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 42W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 11.5mΩ 12A, 10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V 250uA
Вес, г 0.17

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1756 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.