IRF9Z10PBF, MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z10

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

470 руб.

от 10 шт. — 350 руб.

от 100 шт. — 262 руб.

от 500 шт. — 213.23 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.

Номенклатурный номер: 8005524553

Артикул: IRF9Z10PBF

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор P-Chan 60V 6.7 Amp

Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRF9Z
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Lead Shape	Through Hole
Tab	Tab
Package Height	9.01(Max)
Package Width	4.7(Max)
Package Length	10.41(Max)
Mounting	Through Hole
PCB changed	3
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	TrenchFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum Continuous Drain Current (A)	6.7
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	500@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	12(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	12(Max)
Typical Gate to Drain Charge (nC)	5.1(Max)
Typical Gate to Source Charge (nC)	3.8(Max)
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	96
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	270@25V
Typical Output Capacitance (pF)	170
Maximum Power Dissipation (mW)	43000
Typical Fall Time (ns)	31
Typical Rise Time (ns)	63
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	10
Typical Turn-On Delay Time (ns)	11
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Automotive	No
Supplier Package	TO-220AB
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Вес, г	6