SI4850EY-T1-E3, 60V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 375 000 руб.
Технические параметры
Case | SO8 |
Drain current | 8.5A |
Drain-source voltage | 60V |
Gate charge | 27nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | VISHAY |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 47mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 3.3W |
Pulsed drain current | 40A |
Technology | TrenchFET® |
Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
SI4850EY
pdf, 248 КБ