MMBT2222ALP4-7B, 10nA 40V 460mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
24 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 195 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10K
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PCB changed | 3 |
| Package Height | 0.35(Max) |
| Mounting | Surface Mount |
| Lead Shape | No Lead |
| Package Width | 1 |
| Package Length | 0.6 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@50mA@500mA|0.3@15mA@150mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Minimum DC Current Gain | 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|40@500mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V|75@10mA@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Supplier Package | X2-DFN |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | DFN |
| Military | No |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 at 100 uA, 10 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 150 mA, 10 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | MMBT2222 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN1006-3 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT2222ALP4-7B
pdf, 146 КБ
Datasheet MMBT2222ALP4-7B
pdf, 149 КБ
Datasheet MMBT2222ALP4-7B
pdf, 150 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
