Мой регион: Россия

MMBT2222ALP4-7B, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R

Ном. номер: 8001000590
PartNumber: MMBT2222ALP4-7B
Производитель: Diodes Incorporated
MMBT2222ALP4-7B, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
38 руб.
348 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 26 руб.
от 25 шт. — 25.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
10 руб. 2 недели, 700 шт. 100 шт. 100 шт.
от 300 шт. — 9 руб.
от 600 шт. — 8.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
General Purpose NPN Transistors, Up to 1.5A, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Длина
1.05мм
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-40 В
Тип корпуса
DFN
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
0.65мм
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Высота
0.35мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.