SQ4961EY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
140 руб.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 375 000 руб.
Описание
МОП-транзисторы SQ для автомобильной промышленности
Vishay / Siliconix МОП-транзисторы SQ для автомобильной промышленности сертифицированы по стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специальной технологии, оптимизированной для использования в автомобильной промышленности. Эти полевые МОП-транзисторы SQ отличаются низким сопротивлением в открытом состоянии N- и P-каналом TrenchFET® и низким тепловым сопротивлением. Полевые МОП-транзисторы SQ доступны в большом количестве корпусов для гибкости конструкции. Пакеты включают TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPAK 1212-8W, а также несколько компактных, небольших -конфигурационные варианты. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая совместные пакеты с N-каналом и P-каналом. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая совместные пакеты с N-каналом и P-каналом.
Vishay / Siliconix МОП-транзисторы SQ для автомобильной промышленности сертифицированы по стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специальной технологии, оптимизированной для использования в автомобильной промышленности. Эти полевые МОП-транзисторы SQ отличаются низким сопротивлением в открытом состоянии N- и P-каналом TrenchFET® и низким тепловым сопротивлением. Полевые МОП-транзисторы SQ доступны в большом количестве корпусов для гибкости конструкции. Пакеты включают TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPAK 1212-8W, а также несколько компактных, небольших -конфигурационные варианты. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая совместные пакеты с N-каналом и P-каналом. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая совместные пакеты с N-каналом и P-каналом.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 9 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Series: | SQ |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 188 КБ
