MPSA06-AP, Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 48 000 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Formed |
Material | Si |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25 10mA 100mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 4 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 625 |
Minimum DC Current Gain | 100 100mA 1V|100 10mA 1V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Ammo |
Part Status | NRND |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | TO-92 |
Supplier Package | TO-92 |
Type | NPN |
Вес, г | 0.212 |
Техническая документация
Datasheet MPSA06-AP
pdf, 679 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов