NST3946DP6T5G, Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R

Фото 1/3 NST3946DP6T5G, Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 350 шт.
Добавить в корзину 350 шт. на сумму 32 200 руб.
Номенклатурный номер: 8001008649
Артикул: NST3946DP6T5G

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R

Технические параметры

Automotive No
Configuration Dual
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Flat
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 40
Maximum DC Collector Current (A) 0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 420
Maximum Transition Frequency (MHz) 200(Min)@NPN|250(Min)@PNP
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 6
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-963
Type NPN|PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN 40В
Collector Emitter Voltage Max PNP 40В
Continuous Collector Current NPN 200мА
Continuous Collector Current PNP 200мА
DC Current Gain hFE Min NPN 30hFE
DC Current Gain hFE Min PNP 30hFE
DC Ток Коллектора 200мА
DC Усиление Тока hFE 30hFE
Power Dissipation NPN 240мВт
Power Dissipation PNP 240мВт
Transition Frequency NPN 200МГц
Transition Frequency PNP 250МГц
Квалификация -
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40В
Полярность Транзистора Complementary NPN and PNP
Рассеиваемая Мощность 240мВт
Стиль Корпуса Транзистора SOT-963
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV, 400 mV
Configuration: Dual
DC Current Gain hFE Max: 40 at 100 uA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 8000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz, 250 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-963-6
Pd - Power Dissipation: 420 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: NST3946DP6
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN, PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 194 КБ
Datasheet
pdf, 198 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов