NST3946DP6T5G, Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 350 шт.
Добавить в корзину 350 шт.
на сумму 32 200 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Flat |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 420 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 200(Min)@NPN|250(Min)@PNP |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-963 |
Type | NPN|PNP |
Collector Emitter Voltage Max NPN | 40В |
Collector Emitter Voltage Max PNP | 40В |
Continuous Collector Current NPN | 200мА |
Continuous Collector Current PNP | 200мА |
DC Current Gain hFE Min NPN | 30hFE |
DC Current Gain hFE Min PNP | 30hFE |
DC Ток Коллектора | 200мА |
DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
Power Dissipation NPN | 240мВт |
Power Dissipation PNP | 240мВт |
Transition Frequency NPN | 200МГц |
Transition Frequency PNP | 250МГц |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40В |
Полярность Транзистора | Complementary NPN and PNP |
Рассеиваемая Мощность | 240мВт |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-963 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV, 400 mV |
Configuration: | Dual |
DC Current Gain hFE Max: | 40 at 100 uA, 1 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz, 250 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-963-6 |
Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | NST3946DP6 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN, PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов