ZXMC6A09DN8TA, Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

Фото 1/2 ZXMC6A09DN8TA, Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
Кратность заказа 500 шт.
Добавить в корзину 500 шт. на сумму 110 000 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001010217
Артикул: ZXMC6A09DN8TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N|P
Configuration Dual Dual Drain
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 3.9@N Channel|3.7@P Channel
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 45@10V@N Channel|55@10V@P Channel
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2100
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Process Technology TMOS
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SO
Supplier Package SO
Typical Fall Time (ns) 11@N Channel|23@P Channel
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 24.2@N Channel|44@P Channel
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 12.4@5V|24.2@10V@N Channel|23@5V|44@10V@P Channel
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1407@40V@N Channel|1580@30V@P Channel
Typical Rise Time (ns) 3.3@N Channel|5.8@P Channel
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 28.5@N Channel|55@P Channel
Typical Turn-On Delay Time (ns) 4.9@N Channel|4.6@P Channel
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 274 КБ
Datasheet ZXMC6A09DN8TA
pdf, 276 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов