DMS2220LFDB-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
Добавить в корзину 27 шт.
на сумму 351 руб.
Описание
МОП-транзистор 20V 3.5A P-CHNL
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 95 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.56 mm |
| Длина | 2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DMS2220 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | U-DFN2020-B-6 |
| Ширина | 2 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 95@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | DFN-B EP |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 632@10V |
