Мой регион: Россия

PZT651T1G, Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Ном. номер: 8001012206
PartNumber: PZT651T1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 PZT651T1G, Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 PZT651T1G, Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
56 руб.
4881 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 42.50 руб.
от 25 шт. — 40.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
21 руб. 4 дня, 1435 шт. 1 шт. 29 шт.
от 115 шт. — 13 руб.
от 230 шт. — 11 руб.
от 459 шт. — 9.10 руб.
28 руб. 2 недели, 9325 шт. 25 шт. 25 шт.
54 руб. 3-4 недели, 1665 шт. 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 26 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 МГц
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Length
6.7mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
60 В
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
800 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Width
3.7мм
Maximum DC Collector Current
2 А
Transistor Type
NPN
Height
1.65мм
Pin Count
3 + Tab
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Minimum DC Current Gain
40

Дополнительная информация

Datasheet PZT651T1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.