ZXM62P02E6TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 384 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single Quad Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.3 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@4.5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1700 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 19.2 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 5.8(Max)@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 320@15V |
Typical Rise Time (ns) | 15.4 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.1 |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 19.2 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-26-6 |
Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
Rise Time: | 15.4 ns |
Series: | ZXM62 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 666 КБ
Datasheet ZXM62P02E6TA
pdf, 714 КБ