Мой регион: Россия

MMDT2227M-7, Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R

Ном. номер: 8001013684
PartNumber: MMDT2227M-7
Производитель: Diodes Incorporated
MMDT2227M-7, Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
53 руб.
1659 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 35.50 руб.
от 25 шт. — 34.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 159 руб.
Small Signal Dual NPN/PNP Transistors, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В (NPN), -1,6 В (PNP)
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В (NPN), -2,6 В (PNP)
Длина
3.1мм
Transistor Configuration
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В, 75 В
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V, 60 V
Тип корпуса
SOT-26
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Тип транзистора
NPN, PNP
Высота
1.3мм
Число контактов
6
Размеры
3.1 x 1.7 x 1.3мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В (PNP), 6 В (NPN)
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.