IRFP048PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

Фото 1/2 IRFP048PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 110 шт.
Добавить в корзину 110 шт. на сумму 35 200 руб.
Номенклатурный номер: 8001047687
Артикул: IRFP048PBF

Описание

МОП-транзистор N-Chan 60V 70 Amp

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Lead Shape Through Hole
Tab Tab
Package Height 20.7(Max)
Package Width 5.31(Max)
Package Length 15.87(Max)
Mounting Through Hole
PCB changed 3
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 70
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 18@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 110(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 110(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 2400@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 190000
Typical Fall Time (ns) 250
Typical Rise Time (ns) 250
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 210
Typical Turn-On Delay Time (ns) 8.1
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Automotive No
Supplier Package TO-247AC
Pin Count 3
Standard Package Name TO-247
Military No
Вид монтажа Through Hole
Высота 20.82 mm
Длина 15.87 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 500
Серия IRFP
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Base Product Number IRFP048 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 44A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet IRFP048PBF
pdf, 1605 КБ
Datasheet IRFP048PBF
pdf, 1584 КБ
Datasheet IRFP048PBF
pdf, 1597 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов