2N4923G, Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
117 руб.
от 500 шт. —
87.71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Посмотреть аналоги4
Технические параметры
| Case | TO225 |
| Collector current | 1A |
| Collector-emitter voltage | 80V |
| Current gain | 10…150 |
| Frequency | 3MHz |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | THT |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 30W |
| Type of transistor | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 3 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-225 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
