LM311DR2G, IC: comparator; universal; Cmp: 1; 200ns; 5?30V; SMT; SO8

Фото 1/4 LM311DR2G, IC: comparator; universal; Cmp: 1; 200ns; 5?30V; SMT; SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
96 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт.71 руб.
от 100 шт.56 руб.
от 500 шт.46.25 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 288 руб.
Номенклатурный номер: 8002650942
Артикул: LM311DR2G

Описание

Описание IC: comparator; universal; Cmp: 1; 200ns; 5?30V; SMT; SO8 Характеристики
Категория Микросхема
Тип компаратор
Монтаж SMD
Мин.напряжение питания, В 5
Макс.напряжение питания, В 30

Технические параметры

Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Manufacturer Type General Purpose Comparator
Maximum Dual Supply Voltage (V) ±15
Maximum Input Bias Current (uA) 0.25@±15V
Maximum Input Offset Voltage (mV) 7.5@±15V
Maximum Operating Supply Voltage (V) ±15|30
Maximum Operating Temperature (°C) 70
Maximum Power Dissipation (mW) 625
Maximum Single Supply Voltage (V) 30
Maximum Supply Current (mA) 7.5@15V/-5@-15V
Minimum Operating Temperature (°C) 0
Minimum Single Supply Voltage (V) 5
Mounting Surface Mount
Number of Channels per Chip 1
Output Type Open Collector
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
Power Supply Type Single|Dual
PPAP No
Process Technology Bipolar
Rail to Rail No
Standard Package Name SO
Supplier Package SOIC N
Typical Response Time (us) 0.2
Typical Response Time Range (us) 0.05 to 0.5
Typical Voltage Gain (dB) 106.02
Typical Voltage Gain Range (dB) 90 to 110
Comparator Type General Purpose
Maximum Operating Temperature +70 °C
Minimum Operating Temperature 0 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOIC
Typical Dual Supply Voltage ±30V
Typical Response Time 200ns
Typical Single Supply Voltage 36 V
Typical Voltage Gain 200 V/mV
Width 4mm
Вес, г 0.11

Техническая документация

Datasheet
pdf, 141 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 279 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Компараторы»
Типы корпусов импортных микросхем