MUN5133DW1T1G, Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 2700 шт.
от 6000 шт. —
10 руб.
Добавить в корзину 2700 шт.
на сумму 32 400 руб.
Описание
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | -0.1 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 |
DC Current Gain HFE Max | 80 at 5 mA at 10 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-88-6 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 250 mW |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series | MUN5133DW1 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | PNP |
Typical Input Resistor | 4.7 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 0.1 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 90 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов