DTC124EET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
Мин. кол-во для заказа 650 шт.
Добавить в корзину 650 шт.
на сумму 31 200 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 60 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DTC124EE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-75-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
