SMLJ48CA, ESD Suppressors / TVS Diodes 48volts 5uA 38.8 Amps Bi-Dir

Фото 1/2 SMLJ48CA, ESD Suppressors / TVS Diodes 48volts 5uA 38.8 Amps Bi-Dir
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
320 руб.
от 10 шт.250 руб.
от 100 шт.192 руб.
от 250 шт.185.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8004621467
Артикул: SMLJ48CA
Бренд: Bourns

Описание

Защита от замыкания\Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 48volts 5uA 38.8 Amps Bi-Dir

Технические параметры

Iпи - пиковый импульсный ток 38.8 A
Pd - рассеивание мощности 5 W
Pppm - пиковое рассеивание мощности 3 kW
Vf - прямое напряжение 3.5 V
Категория продукта Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с
Количество каналов 1 Channel
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение пробоя 53.3 V
Подкатегория TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Полярность Bidirectional
Рабочее напряжение 48 V
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SMLJ
Тип выводов SMD/SMT
Тип продукта TVS Diodes
Торговая марка Bourns
Упаковка / блок DO-214AB-2
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.10.00.80
Configuration Single
Direction Type Bi-Directional
Number of Elements per Chip 1
Minimum Breakdown Voltage (V) 53.3
Maximum Clamping Voltage (V) 77.4
Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V) 48
Maximum Peak Pulse Current (A) 38.8
Maximum Reverse Leakage Current (uA) 5
Test Current (mA) 1
Peak Pulse Power Dissipation (W) 3000(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Supplier Package SMC
Standard Package Name DO-214-AB
Pin Count 2
Mounting Surface Mount
Package Height 2.42(Max)
Package Length 7.11(Max)
Package Width 6.22(Max)
PCB changed 2
Lead Shape J-Lead
Вес, г 0.21

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диоды защитные (TVS)»
Типы корпусов импортных диодов