JANTX2N2222A, Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
267387 шт., срок 6-8 недель
560 руб.
Мин. кол-во для заказа 57 шт.
Добавить в корзину 57 шт.
на сумму 31 920 руб.
Технические параметры
| EU RoHS | Not Compliant |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.8 |
| Minimum DC Current Gain | 100@10mA@10V|50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Packaging | Bag |
| Automotive | No |
| Supplier Package | TO-18 |
| Pin Count | 3 |
| Diameter | 5.84(Max) |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 5.33(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet JANTX2N2222A
pdf, 588 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
