SBCP56T1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 100 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Package Height | 1.57 |
| Mounting | Surface Mount |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Tab | Tab |
| Package Width | 3.5 |
| Package Length | 6.5 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Minimum DC Current Gain | 25@500mA@2V|25@5mA@2V|40@150mA@2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 130(Typ) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | Yes |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Pin Count | 4 |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| Military | No |
| Pd - рассеивание мощности | 1500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.57 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA at 2 V, 40 at 150 mA at 2 V, 25 at 500 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 5 mA at 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BCP56 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BCP56 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 130МГц |
