Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › S2SC4617G, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 125mW ...

S2SC4617G, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 125mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

62 руб.

Мин. кол-во для заказа 510 шт.

Добавить в корзину 510 шт. на сумму 31 620 руб.

Номенклатурный номер: 8001347227

Артикул: S2SC4617G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SSP SC75 GP XSTR 50V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	125 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SC4617
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SC-75-3
Collector Emitter Voltage Max	50В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	120hFE
DC Усиление Тока hFE	120hFE
Power Dissipation	125мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SC-75
Частота Перехода ft	180МГц
Вес, г	0.0025