2N7002BKS.115

Ном. номер: 8001774666
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 2N7002BKS.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 2N7002BKS.115Фото 3/4 2N7002BKS.115Фото 4/4 2N7002BKS.115
6 руб.
3769 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 4.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 811 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
5.20 руб. 3-4 недели, 57000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 21000 шт. — 4.50 руб.
25 руб. 3-4 недели, 3000 шт. 1 шт. 4 шт.
от 100 шт. — 17 руб.
19 руб. 3-4 недели, 4370 шт. 5 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 11 руб.
27 руб. 6 дней, 228 шт. 1 шт. 16 шт.
от 199 шт. — 8 руб.
13 руб. 8 дней, 850 шт. 50 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSSOP6

Корпус TSSOP6

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
300 mA
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности
445 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.35мм
Высота
1мм
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.2мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
5 нс
Производитель
Nexperia
Типичное время задержки выключения
12 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
0,5 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
33 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.043

Дополнительная информация

Datasheet 2N7002BKS.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов