BC847C.215

Ном. номер: 8001779072
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/8 BC847C.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 BC847C.215Фото 3/8 BC847C.215Фото 4/8 BC847C.215Фото 5/8 BC847C.215Фото 6/8 BC847C.215Фото 7/8 BC847C.215Фото 8/8 BC847C.215
0.80 руб.
120750 шт. со склада г.Москва
от 6000 шт. — 0.66 руб.
от 27000 шт. — 0.62 руб.
Мин. кол-во для заказа 5953 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 руб. 6885 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.20 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
2 руб. 3-4 недели, 231700 шт. 50 шт. 50 шт.
от 500 шт. — 1.50 руб.
от 1500 шт. — 1.40 руб.
от 5000 шт. — 1.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,4 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,4 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Вес, г
0.024

Техническая документация

BC846-850
pdf, 215 КБ
BC847 BC547
pdf, 84 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC847C.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов